因为Total Capacitive Charge(Qc)小、可以降低开关损失,实现高速开关。而且，Si快速恢复二极管的trr会随着温度上升而增大，而SiC则可以维持大体一定的特性。 SiC支持网页评估板, 文档采用事例介绍ROHM SiC元器件什么叫SiC SBD？电子小百科
开关时的差动放大电流原则上是没有的，所以可以高速运作，开关损失降低。 小尺寸芯片的导通电阻低，所以实现低容量・低门极消耗。 Si产品随温度的上升导通电阻上升2倍以上，SiC的导通电阻上升小，可以实现整机的小型化和节能化。 SiC支持网页评估板, 文档采用事例介绍ROHM SiC元器件什么叫SiC MOSFET？电子小百科
内置的功率半导体元件全部由SiC构成，与Si(硅)材质的IGBT模块相比，可大幅降低开关损耗。 内置SiC-SBD、SiC-MOSFET，与传统的Si-IGBT相比，在100KHｚ以上的高频环境下工作成为可能。 SiC支持网页评估板, 文档采用事例介绍ROHM SiC元器件什么叫SiCSiC功率模块？电子小百科
SBD可降低开关损耗，可高速开关。主要用于高速开关电源的PFC电路。关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。
从原理上而言，不存在开关工作时的拖尾电流，因此，可高速工作，降低开关损耗。芯片尺寸小，导通电阻低，因此实现了低容量、低栅极电压。关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。
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